1. BC849CMTF
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厂商型号

BC849CMTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SOT-23 NPN GP AMP

内部编号

3-BC849CMTF

#1

数量:127586
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:127586
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25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
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BC849CMTF产品详细规格

规格书 BC849CMTF datasheet 规格书
BC846-BC850
BC849CMTF datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 420 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 310mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 420@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -65
最大功率耗散 310
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 300(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 30
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 310mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 420 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 110
直流电流增益hFE最大值 800
单位重量 0.002116 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 200 mV
集电极最大直流电流 0.1 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
增益带宽产品fT 300 MHz
最大功率耗散 310 mW
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 65 C
集电极电流( DC)(最大值) 0.1 A
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.31 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益(最小值) 420
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 300 MHz
集电极电流(DC ) 0.1 A
直流电流增益 420

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